图 1 (a) 1 UC FeSe/SVO/STO结构示意图，(b) 1 UC FeSe/SVO/STO费米面，(c-h)1 UC FeSe/SVO/STO高对称方向能带结构，(i)1 UC FeSe/SVO与1 UC FeSe/STO声子谱对比，(j)1 UC FeSe/SVO/STO与1 UC FeSe/STO，1 UC FeSe/LFO/STO超导配对温度与界面EPC强度的关系曲线

2012年，人们首次发现生长在SrTiO3表面的单层FeSe的超导转变温度达到了65 K，相比FeSe块材有显著提高。许多研究表明，界面电子-声子耦合（EPC）在其中起到了关键作用。例如，通过对STO中O元素的同位素替换，证明了超导能隙大小与电子-声子耦合强度呈正相关；通过对多层FeSe薄膜掺K的实验表明，对于远离界面、界面EPC强度趋近于零的FeSe层，即使电子掺杂达到最佳浓度，其超导转变温度（46 K）也远低于单层FeSe/SrTiO3。然而，与FeSe块材或多层FeSe相比，单层FeSe的维度减小也会对其超导性质产生影响。目前还没有研究在保持单层FeSe二维性不变的情况下，实现界面电子-声子耦合强度为零的FeSe/氧化物体系，这使得我们难以将界面EPC和维度对其超导性质的影响区分开来，理解超导增强机制。

基于此，我们构建了一个新的超导界面——1 UC FeSe/SrVO3/SrTiO3。通过ARPES测量其能带结构，发现了作为电声子耦合标志的“复制带”现象的消失。同时，通过EELS测量在SrTiO3表面生长SrVO3前后的声子谱，发现金属性的SrVO3薄膜可以屏蔽包括SrTiO3声子在内的所有高能Fuchs-Kliewer声子。这样，1 UC FeSe/SrVO3/SrTiO3体系成为第一个在保持1 UC FeSe厚度的同时屏蔽界面EPC的FeSe/氧化物系统。尽管与单层FeSe/SrTiO3和单层FeSe/LaFeO3的掺杂水平相当，单层FeSe/SrVO3的超导配对温度（48 K）低于FeSe/SrTiO3（65 K）和FeSe/LaFeO3（80 K）。我们的研究成功地将界面EPC和维度对FeSe/氧化物界面超导配对温度提升的贡献区分开来，强调了界面EPC的关键重要性。同时，这个FeSe/VOx界面还提供了一个研究界面超导性的新平台。

该工作已发表于Nano Letters (doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c01612)，标题为“Inferior Interfacial Superconductivity in 1 UC FeSe/SrVO3/SrTiO3 with Screened Interfacial Electron−Phonon Coupling”，郭楠为第一作者，徐海超副研究员、彭瑞研究员和封东来教授为共同通讯作者。